MOSFET Nexperia, canale N, 44 mΩ, 4,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 136-4789
Codice costruttore:: PMV40UN2R
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 44 mΩ, 4,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,063 €

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0,077 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,063 €	189,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 136-4789
Codice costruttore:: PMV40UN2R
Costruttore:: Nexperia

PMV40UN2, 30V, N-channel Trench MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4,4 A
Tensione massima drain source	30 V
Serie	PMV40UN2
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	44 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.9V
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	7 nC a 4,5 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	3mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET Nexperia, canale N, 44 mΩ, 4,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, fino a 30 V.

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