Codice costruttore

MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 69 mΩ Miglioramento, 3.9 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Codice RS:: 152-7154
Codice costruttore:: PMV50ENEAR
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 69 mΩ Miglioramento, 3.9 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.042 Ω Miglioramento, 8 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SQ2348CES-T1_GE3

Codice RS: 280-0009

Unità (Su Bobina da 3000)

429,00 €

(IVA esclusa)

523,38 €

(IVA inclusa)

Codice RS:: 152-7154
Codice costruttore:: PMV50ENEAR
Costruttore:: Nexperia

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Nexperia
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	3.9A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	SOT-23
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	69mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	6nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	3.9W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1mm
	Lunghezza	3mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Nexperia
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 3.9A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package SOT-23
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 69mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 3.9W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1mm
	Lunghezza 3mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico AEC-Q101

30V, MOSFET Trench a canale N. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un piccolo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SOT23 (TO-236AB) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.

Compatibile a livello logico

Commutazione rapidissima

Tecnologia MOSFET Trench

Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): > 2 kV HBM

Qualifica AEC-Q101

Driver relè

Driver di linea ad alta velocità

Interruttore di carico low-side

Circuiti di commutazione

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