MOSFET Nexperia, canale N 20 V, 100 mΩ Miglioramento, 5.4 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
170-4846
Codice costruttore:
PMV30UN2R
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

5.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOT-23

Serie

PMV30UN2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

100mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.2nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.4mm

Altezza

1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Soluzioni di commutazione per i vostro progetti portatili. È possibile scegliere tra un'ampia gamma di MOSFET singoli e doppi a canale N fino a 20 V. Grande affidabilità grazie al nostro TrenchMOS consolidato e alla tecnologia dei contenitori. I nostri MOSFET a bassa tensione, facili da usare, sono progettati appositamente per soddisfare le esigenze di applicazioni portatili con tensioni di attivazione ridotte.

Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un piccolo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SOT23 (TO-236AB) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.

Tecnologia MOSFET Trench

Bassa tensione di soglia

Commutazione rapidissima

Maggiore capacità di dissipazione di potenza di 1000 mW

Applicazioni target

Driver LED

Gestione dell'alimentazione

Interruttore di carico low-side

Circuiti di commutazione

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