MOSFET Nexperia, canale Tipo N 20 V, 100 mΩ Miglioramento, 5.4 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie
- Codice RS:
- 170-4846
- Codice costruttore:
- PMV30UN2R
- Costruttore:
- Nexperia
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
375,00 €
(IVA esclusa)
456,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 07 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,125 € | 375,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,119 € | 357,00 € |
| 15000 - 27000 | 0,116 € | 348,00 € |
| 30000 - 72000 | 0,111 € | 333,00 € |
| 75000 + | 0,108 € | 324,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 170-4846
- Codice costruttore:
- PMV30UN2R
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 5.4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Serie | PMV30UN2 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 100mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 5W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 1.4 mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 5.4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Serie PMV30UN2 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 100mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 5W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 1.4 mm | ||
Altezza 1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Soluzioni di commutazione per i vostro progetti portatili. È possibile scegliere tra un'ampia gamma di MOSFET singoli e doppi a canale N fino a 20 V. Grande affidabilità grazie al nostro TrenchMOS consolidato e alla tecnologia dei contenitori. I nostri MOSFET a bassa tensione, facili da usare, sono progettati appositamente per soddisfare le esigenze di applicazioni portatili con tensioni di attivazione ridotte.
Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un piccolo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SOT23 (TO-236AB) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.
Tecnologia MOSFET Trench
Bassa tensione di soglia
Commutazione rapidissima
Maggiore capacità di dissipazione di potenza di 1000 mW
Applicazioni target
Driver LED
Gestione dell'alimentazione
Interruttore di carico low-side
Circuiti di commutazione
Link consigliati
- MOSFET Nexperia 100 mΩ4 A Montaggio superficiale
- MOSFET Nexperia 33 mΩ6 A Montaggio superficiale
- MOSFET Nexperia 38 mΩ2 A Montaggio superficiale
- MOSFET Nexperia 38 mΩ4 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 5 80 A Su foro
- MOSFET Infineon 5 100 A Su foro
- MOSFET Vishay 550 mΩ4 A Su foro
- MOSFET Toshiba 5 105 A Su foro
