MOSFET Nexperia, canale N, 100 mΩ, 5,4 A, TO-236, Montaggio superficiale

Codice RS:: 170-4846
Codice costruttore:: PMV30UN2R
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 100 mΩ, 5,4 A, TO-236, Montaggio superficiale

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 - 3000	0,117 €	351,00 €
6000 - 12000	0,112 €	336,00 €
15000 - 27000	0,109 €	327,00 €
30000 - 72000	0,104 €	312,00 €
75000 +	0,102 €	306,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 170-4846
Codice costruttore:: PMV30UN2R
Costruttore:: Nexperia

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,4 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	TO-236
Serie	PMV30UN2
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	100 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.9V
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	12 V
Larghezza	1.4mm
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	6,2 nC a 4,5 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET Nexperia, canale N, 100 mΩ, 5,4 A, TO-236, Montaggio superficiale

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