MOSFET Nexperia, canale Tipo N 100 V, 892 mΩ Miglioramento, 1 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
152-7155
Codice costruttore:
PMV280ENEAR
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

892mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1mm

Larghezza

1.4 mm

Lunghezza

3mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET a canale N da 75 V - 200 V. Vi trovate all’interno di una delle principali gamme di MOS standard al mondo. State cercando MOSFET ad alta affidabilità nella gamma da 75 a 200 V che semplifichino la progettazione? I nostri prodotti sono perfetti per applicazioni con criticità di spazio e alimentazione, e forniscono eccellenti prestazioni di commutazione e SOA (safe operating area). Per esempio, la nostra gamma di MOSFET di potenza LFPAK vanta una RDSon ultra-bassa, commutazione ad alta velocità e valori di tensione nominale fino a 200 V.

MOSFET Trench a canale N da 100 V. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un piccolo contenitore in plastica SOT23 (TO-236AB) per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.

Compatibile a livello logico

Commutazione rapidissima

Tecnologia MOSFET Trench

Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): > 2 kV HBM

Qualifica AEC-Q101

Driver relè

Driver di linea ad alta velocità

Interruttore di carico low-side

Circuiti di commutazione

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