MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 118 mΩ Miglioramento, 3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:
153-0729
Codice costruttore:
PMV100ENEAR
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

118mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.6nC

Dissipazione di potenza massima Pd

4.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3mm

Altezza

1mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

30 V, MOSFET Trench a canale N. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un piccolo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SOT23 (TO-236AB) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.

Compatibile a livello logico

Commutazione rapidissima

Tecnologia MOSFET Trench

Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): > 2 kV HBM

Qualifica AEC-Q101

Driver relè

Driver di linea ad alta velocità

Interruttore di carico low-side

Circuiti di commutazione

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