MOSFET Nexperia, canale Tipo N 20 V, 70 mΩ Miglioramento, 4.7 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Codice RS:: 151-3058
Codice costruttore:: PMV28UNEAR
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale Tipo N 20 V, 70 mΩ Miglioramento, 4.7 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

318,00 €

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Codice RS:: 151-3058
Codice costruttore:: PMV28UNEAR
Costruttore:: Nexperia

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Nexperia
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	4.7A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Tipo di package	SOT-23
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	70mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	3.9W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	6.2nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	8V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1mm
	Larghezza	1.4mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	3mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio Nexperia
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 4.7A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Tipo di package SOT-23
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 70mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 3.9W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.2nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1mm
	Larghezza 1.4mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 3mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

MOSFET per uso automobilistico. La più grande gamma al mondo di MOSFET di potenza AEC-Q101. Una conoscenza approfondita dei requisiti di sistema per il settore automobilistico e capacità tecnica concentrata consentono a Nexperia di fornire soluzioni con semiconduttori di potenza in una vasta gamma di applicazioni. Dall’attivazione di una semplice lampadina alle esigenze sofisticate di controllo della potenza in motori, corpi o telai, i semiconduttori di potenza Nexperia possono offrire la risposta a molti problemi di alimentazione nei sistemi automobilistici.

Conformità AEC-Q101

Valori a valanga ripetitivi

Idoneità per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale di 175 °C

20 V, MOSFET Trench a canale N. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un piccolo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SOT23 (TO-236AB) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.

Bassa tensione di soglia

Commutazione rapidissima

Tecnologia MOSFET Trench

Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): > 2 kV HBM

Qualifica AEC-Q101

MOSFET Nexperia, canale Tipo N 20 V, 70 mΩ Miglioramento, 4.7 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

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