MOSFET Nexperia, canale N, 222 mΩ, 1,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 153-0709
Codice costruttore:: PMV230ENEAR
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 222 mΩ, 1,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Confronta

Codice RS:: 153-0709
Codice costruttore:: PMV230ENEAR
Costruttore:: Nexperia

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,5 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	222 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.7V
Tensione di soglia gate minima	1.3V
Dissipazione di potenza massima	1,45 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	3,9 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3mm
Altezza	1mm
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale N, 222 mΩ, 1,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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