MOSFET Nexperia, canale N, 42 mΩ, 5,1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 136-4806
Codice costruttore:: PMV45EN2R
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 42 mΩ, 5,1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 136-4806
Codice costruttore:: PMV45EN2R
Costruttore:: Nexperia

PMV45EN2, 30V, N-channel Trench MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,1 A
Tensione massima drain source	30 V
Serie	PMV45EN2
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	42 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	3,6 nC a 10 V
Lunghezza	3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.4mm
Numero di elementi per chip	1
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale N, 42 mΩ, 5,1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, fino a 30 V.

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