MOSFET Nexperia, canale N, 118 mΩ, 3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 153-0784
Codice costruttore:: PMV100ENEAR
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 118 mΩ, 3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 153-0784
Codice costruttore:: PMV100ENEAR
Costruttore:: Nexperia

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	118 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	4,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	20 V
Larghezza	1.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	3,6 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	3mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Altezza	1mm

MOSFET Nexperia, canale N, 118 mΩ, 3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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