MOSFET Nexperia, canale Tipo N 20 V, 100 mΩ Miglioramento, 5.4 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie PMV30UN2R
- Codice RS:
- 170-5432
- Codice costruttore:
- PMV30UN2R
- Costruttore:
- Nexperia
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 170-5432
- Codice costruttore:
- PMV30UN2R
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 5.4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Serie | PMV30UN2 | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 100mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 5W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 5.4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Serie PMV30UN2 | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 100mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 5W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 3mm | ||
Altezza 1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Soluzioni di commutazione per i vostro progetti portatili. È possibile scegliere tra un'ampia gamma di MOSFET singoli e doppi a canale N fino a 20 V. Grande affidabilità grazie al nostro TrenchMOS consolidato e alla tecnologia dei contenitori. I nostri MOSFET a bassa tensione, facili da usare, sono progettati appositamente per soddisfare le esigenze di applicazioni portatili con tensioni di attivazione ridotte.
Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un piccolo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SOT23 (TO-236AB) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.
Tecnologia MOSFET Trench
Bassa tensione di soglia
Commutazione rapidissima
Maggiore capacità di dissipazione di potenza di 1000 mW
Applicazioni target
Driver LED
Gestione dell'alimentazione
Interruttore di carico low-side
Circuiti di commutazione
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