MOSFET Nexperia, canale N 20 V, 100 mΩ Miglioramento, 5.4 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie PMV30UN2R

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
170-5432
Codice costruttore:
PMV30UN2R
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

PMV30UN2

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

100mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.2nC

Dissipazione di potenza massima Pd

5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.4mm

Lunghezza

3mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Soluzioni di commutazione per i vostro progetti portatili. È possibile scegliere tra un'ampia gamma di MOSFET singoli e doppi a canale N fino a 20 V. Grande affidabilità grazie al nostro TrenchMOS consolidato e alla tecnologia dei contenitori. I nostri MOSFET a bassa tensione, facili da usare, sono progettati appositamente per soddisfare le esigenze di applicazioni portatili con tensioni di attivazione ridotte.

Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un piccolo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SOT23 (TO-236AB) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.

Tecnologia MOSFET Trench

Bassa tensione di soglia

Commutazione rapidissima

Maggiore capacità di dissipazione di potenza di 1000 mW

Applicazioni target

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Gestione dell'alimentazione

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Circuiti di commutazione

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