MOSFET Nexperia, canale N, 100 mΩ, 5,4 A, TO-236, Montaggio superficiale

Codice RS:: 170-5432
Codice costruttore:: PMV30UN2R
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 100 mΩ, 5,4 A, TO-236, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 170-5432
Codice costruttore:: PMV30UN2R
Costruttore:: Nexperia

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,4 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	TO-236
Serie	PMV30UN2
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	100 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.9V
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	12 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	6,2 nC a 4,5 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.4mm
Lunghezza	3mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET Nexperia, canale N, 100 mΩ, 5,4 A, TO-236, Montaggio superficiale

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