MOSFET Nexperia, canale N, 33 mΩ, 8,6 A, TO-236, Montaggio superficiale

Soluzioni di commutazione per i vostro progetti portatili. È possibile scegliere tra un'ampia gamma di MOSFET singoli e doppi a canale N fino a 20 V. Grande affidabilità grazie al nostro TrenchMOS consolidato e alla tecnologia dei contenitori. I nostri MOSFET a bassa tensione, facili da usare, sono progettati appositamente per soddisfare le esigenze di applicazioni portatili con tensioni di attivazione ridotte.

Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un piccolo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SOT23 (TO-236AB) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.

Tecnologia MOSFET Trench
Bassa tensione di soglia
Commutazione rapidissima
Maggiore capacità di dissipazione di potenza di 1200 mW
Applicazioni target
Driver LED
Gestione dell'alimentazione
Interruttore di carico low-side
Circuiti di commutazione