MOSFET Nexperia, canale Tipo N 20 V, 33 mΩ Miglioramento, 8.6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie PMV16XNR

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 50 unità*

15,25 €

(IVA esclusa)

18,60 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 19 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
50 - 2000,305 €15,25 €
250 - 4500,141 €7,05 €
500 - 12000,134 €6,70 €
1250 - 24500,118 €5,90 €
2500 +0,115 €5,75 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
170-5355
Codice costruttore:
PMV16XNR
Costruttore:
Nexperia
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

PMV16XN

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

33mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

6.94W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1mm

Lunghezza

3mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Soluzioni di commutazione per i vostro progetti portatili. È possibile scegliere tra un'ampia gamma di MOSFET singoli e doppi a canale N fino a 20 V. Grande affidabilità grazie al nostro TrenchMOS consolidato e alla tecnologia dei contenitori. I nostri MOSFET a bassa tensione, facili da usare, sono progettati appositamente per soddisfare le esigenze di applicazioni portatili con tensioni di attivazione ridotte.

Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un piccolo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SOT23 (TO-236AB) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.

Tecnologia MOSFET Trench

Bassa tensione di soglia

Commutazione rapidissima

Maggiore capacità di dissipazione di potenza di 1200 mW

Applicazioni target

Driver LED

Gestione dell'alimentazione

Interruttore di carico low-side

Circuiti di commutazione

Link consigliati