MOSFET Nexperia, canale N, 2,8 Ω, 330 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 136-4797
Codice costruttore:: BSN20BKR
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 2,8 Ω, 330 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Aggiunto

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

0,058 €

(IVA esclusa)

0,071 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Bobina*
3000 - 6000	0,058 €	174,00 €
9000 +	0,053 €	159,00 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 136-4797
Codice costruttore:: BSN20BKR
Costruttore:: Nexperia

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET a canale N, da 60V a 80V, Nexperia

Transistor MOSFET, NXP Semiconductors

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	330 mA
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-23
Serie	BSN20BK
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,8 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.4V
Tensione di soglia gate minima	0.6V
Dissipazione di potenza massima	1,67 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	0,49 nC a 4,5 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Lunghezza	3mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm
Tensione diretta del diodo	1.2V

Codice RS:: 136-4797
Codice costruttore:: BSN20BKR
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 2,8 Ω, 330 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Documentazione Tecnica

Normative

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MOSFET a canale N, da 60V a 80V, Nexperia

Specifiche

MOSFET a canale N, da 60V a 80V, Nexperia

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