MOSFET Nexperia, canale N, 2,8 Ω, 330 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 136-4845
Codice costruttore:: BSN20BKR
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 2,8 Ω, 330 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 136-4845
Codice costruttore:: BSN20BKR
Costruttore:: Nexperia

BSN20BK, 60V, N-channel Trench MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	330 mA
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-23
Serie	BSN20BK
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,8 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.4V
Tensione di soglia gate minima	0.6V
Dissipazione di potenza massima	1,67 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	0,49 nC a 4,5 V
Lunghezza	3mm
Larghezza	1.4mm
Numero di elementi per chip	1
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET Nexperia, canale N, 2,8 Ω, 330 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 60V a 80V, Nexperia

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