MOSFET Nexperia, canale Tipo N 60 V, 2.8 Ω Miglioramento, 270 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
151-2761
Codice costruttore:
NX7002BKR
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

270mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.8Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.67W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3mm

Altezza

1mm

Larghezza

1.4 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
MOSFET di livello logico e standard in una varietà di contenitori. I MOSFET del nostro ampio portafoglio di dispositivi sono solidi e facili da usare nella gamma da 40 V a 60 V. Sono perfetti per applicazioni con criticità di spazio e alimentazione e forniscono eccellenti prestazioni di commutazione e SOA (safe operating area).

60 V, MOSFET Trench a canale N. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un piccolo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SOT23 (TO-236AB) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.

Compatibile a livello logico

Commutazione rapidissima

Tecnologia MOSFET Trench

Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): > 2 kV HBM

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