Codice costruttore

MOSFET Nexperia, canale Tipo N 60 V, 2.8 Ω Miglioramento, 270 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie NX7002BKR

Codice RS:: 151-2607
Codice costruttore:: NX7002BKR
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale Tipo N 60 V, 2.8 Ω Miglioramento, 270 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie NX7002BKR

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

81,00 €

(IVA esclusa)

99,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

6000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
3000 +	0,027 €	81,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 151-2607
Codice costruttore:: NX7002BKR
Costruttore:: Nexperia

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Nexperia
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	270mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	SOT-23
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	2.8Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.67W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	1nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	3mm
	Larghezza	1.4 mm
	Altezza	1mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Nexperia
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 270mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package SOT-23
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.8Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.67W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 3mm
	Larghezza 1.4 mm
	Altezza 1mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET di livello logico e standard in una varietà di contenitori. I MOSFET del nostro ampio portafoglio di dispositivi sono solidi e facili da usare nella gamma da 40 V a 60 V. Sono perfetti per applicazioni con criticità di spazio e alimentazione e forniscono eccellenti prestazioni di commutazione e SOA (safe operating area).

60 V, MOSFET Trench a canale N. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un piccolo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SOT23 (TO-236AB) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.

Compatibile a livello logico

Commutazione rapidissima

Tecnologia MOSFET Trench

Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): > 2 kV HBM

MOSFET Nexperia, canale Tipo N 60 V, 2.8 Ω Miglioramento, 270 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie NX7002BKR

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Link consigliati