MOSFET Nexperia, canale Tipo N 55 V, 8.1 Ω Miglioramento, 335 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
170-4850
Codice costruttore:
BSH111BKR
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

335mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

SOT-23

Serie

BSH111BK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.1Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.45W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.4 mm

Lunghezza

3mm

Altezza

1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
MOSFET di livello logico e standard in una varietà di contenitori. Prova i nostri MOSFET solidi e facili da usare nella gamma da 40 V a 60 V. Sono perfetti per applicazioni con criticità di spazio e alimentazione e forniscono eccellenti prestazioni di commutazione e SOA (safe operating area).

Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un piccolo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SOT23 (TO-236AB) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench

Bassa tensione di soglia

Commutazione rapidissima

Tecnologia MOSFET Trench

Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): > 3 kV HBM

Driver relè

Driver di linea ad alta velocità

Interruttore di carico low-side

Circuiti di commutazione

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