MOSFET Nexperia, canale N, 6 Ω, 150 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 103-8117
Codice costruttore:: BSS123,215
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 6 Ω, 150 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,025 €	75,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 103-8117
Codice costruttore:: BSS123,215
Costruttore:: Nexperia

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	150 mA
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	6 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.8V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	250 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	3mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.4mm
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale N, 6 Ω, 150 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, oltre 100 V, Nexperia

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