MOSFET Nexperia, canale P, 120 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 780-5376
Codice costruttore:: NX2301P,215
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale P, 120 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 780-5376
Codice costruttore:: NX2301P,215
Costruttore:: Nexperia

NX2301P 20V 2A P-channel MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	2 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	120 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.1V
Tensione di soglia gate minima	0.5V
Dissipazione di potenza massima	400 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Carica gate tipica @ Vgs	4,5 nC a 10 V
Lunghezza	3mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET Nexperia, canale P, 120 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, Nexperia

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