MOSFET Nexperia, canale P, 6,5 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 816-0579
Codice costruttore:: NX3008PBK,215
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale P, 6,5 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 816-0579
Codice costruttore:: NX3008PBK,215
Costruttore:: Nexperia

NX3008PBK P-channel Trench MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	230 mA
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	6,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.1V
Tensione di soglia gate minima	0.6V
Dissipazione di potenza massima	1,14 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Lunghezza	3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	0,55 nC a 4,5 V
Materiale del transistor	Si
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale P, 6,5 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, Nexperia

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