MOSFET Nexperia, canale N, 250 mΩ, 1,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 725-8326
Codice costruttore:: PMV213SN,215
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 250 mΩ, 1,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 725-8326
Codice costruttore:: PMV213SN,215
Costruttore:: Nexperia

TransMOSFET NCH 100V 1.9A 3P TO236AB TR
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,9 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	250 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	7 nC a 10 V
Lunghezza	3mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale N, 250 mΩ, 1,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, oltre 100 V, Nexperia

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