MOSFET Nexperia, canale N, 120 mΩ, 1,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 509-324
Codice costruttore:: BSH108,215
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 120 mΩ, 1,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 509-324
Codice costruttore:: BSH108,215
Costruttore:: Nexperia

N-Ch Field-Effect Transistor,30V,BSH108
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,9 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	120 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	830 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	6,4 nC a 10 V
Lunghezza	3mm
Larghezza	1.4mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-65 °C

MOSFET Nexperia, canale N, 120 mΩ, 1,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, fino a 30 V.

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