MOSFET Nexperia, canale N 30 V, 120 mΩ Miglioramento, 1.9 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSH108,215

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Codice RS:
509-324
Codice costruttore:
BSH108,215
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-23

Serie

BSH108

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

120mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-65°C

Dissipazione di potenza massima Pd

830mW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.4nC

Tensione diretta Vf

1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3mm

Altezza

1mm

Larghezza

1.4mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N, fino a 30 V.


Transistor MOSFET, NXP Semiconductors


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