MOSFET Nexperia, canale Tipo N 60 V, 120 mΩ Miglioramento, 3.1 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie PMV55ENEAR

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
151-3187
Codice costruttore:
PMV55ENEAR
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

120mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

8.36W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.4 mm

Altezza

1mm

Lunghezza

3mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET per uso automobilistico. La più grande gamma al mondo di MOSFET di potenza AEC-Q101. Una conoscenza approfondita dei requisiti di sistema per il settore automobilistico e capacità tecnica concentrata consentono a Nexperia di fornire soluzioni con semiconduttori di potenza in una vasta gamma di applicazioni. Dall’attivazione di una semplice lampadina alle esigenze sofisticate di controllo della potenza in motori, corpi o telai, i semiconduttori di potenza Nexperia possono offrire la risposta a molti problemi di alimentazione nei sistemi automobilistici.

Conformità AEC-Q101

Valori a valanga ripetitivi

Idoneità per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale di 175 °C

60 V, MOSFET Trench a canale N. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un piccolo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SOT23 (TO-236AB) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.

Compatibile a livello logico

Commutazione rapidissima

Tecnologia MOSFET Trench

Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): > 2 kV HBM

Qualifica AEC-Q101

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