MOSFET DiodesZetex, canale N, 225 mΩ, 3,1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 708-2614
Codice costruttore:: ZXMN2A01E6TA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 225 mΩ, 3,1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 708-2614
Codice costruttore:: ZXMN2A01E6TA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET N-ch 3.1A 20V SOT23-6
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3,1 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	225 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.7V
Dissipazione di potenza massima	1,7 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	3 nC a 4,5 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.75mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.3mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 225 mΩ, 3,1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 12 V a 28 V, Diodes Inc

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