MOSFET Nexperia, canale N, 3,1 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 124-2410
Codice costruttore:: PSMN1R7-60BS,118
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 3,1 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 800)**

2,143 €

(IVA esclusa)

2,614 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
800 +	2,143 €	1.714,40 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 124-2410
Codice costruttore:: PSMN1R7-60BS,118
Costruttore:: Nexperia

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	120 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	3,1 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	306 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	10.3mm
Carica gate tipica @ Vgs	137 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Larghezza	11mm
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	4.5mm

MOSFET Nexperia, canale N, 3,1 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 60V a 80V, Nexperia

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