MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 3.1 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB120P04P4L03ATMA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-1819
Codice costruttore:
IPB120P04P4L03ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-263

Serie

iPB

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

IPB120P04P4L-03, -40 V, canale P, 3,1 mΩ max, MOSFET per uso automobilistico, D2PAK, OptiMOSTM-P2


Il MOSFET di livello logico a canale p Infineon ha la massima capacità di corrente e è testato al 100% a valanga. Ha le minori perdite di potenza di commutazione e di conduzione per la massima efficienza termica.

Riassunto delle caratteristiche


•Canale P - Livello logico - Modalità potenziamento

•AEC qualificato

•MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco

•Temperatura d'esercizio 175 °C

•Contenitore verde (conforme a RoHS)

•100% Avalanche testato

Vantaggi


•Non è richiesta alcuna pompa di carica per l'azionamento a lato alto.

•Circuito di azionamento interfaccia semplice

•RDSon più basso al mondo a 40 V

•Massima capacità di corrente

•Minime perdite di potenza di commutazione e conduzione per la massima efficienza termica

•Contenitori robusti con qualità e affidabilità superiori

•Contenitori standard TO-252, TO-263, TO-220, TO-262

Applicazioni potenziali


•MOSFET ad alto fianco per ponti a motore (mezzi ponti, ponti ad H, motori a 3 fasi)

•La configurazione a ponte può essere realizzata con un canale P da 40 V come dispositivo lato alto senza necessità di pompa di carica

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