Transistor di potenza Infineon, canale Tipo P 40 V, 3.1 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
145-9267
Codice costruttore:
IPP120P04P4L03AKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-220

Serie

OptiMOS P

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

180nC

Dissipazione di potenza massima Pd

136W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

15.65mm

Standard/Approvazioni

AEC, RoHS

Lunghezza

10mm

Standard automobilistico

AEC

MOSFET a canale di potenza P P Infineon OptiMOS™


I MOSFET di potenza a canale P Infineon OptiMOS™ sono progettati per offrire caratteristiche ottimizzate unite a prestazioni di qualità. Le caratteristiche includono perdita ultra-bassa di commutazione, resistenza in stato attivo e valori nominali dell'effetto valanga, oltre alla qualifica AEC per soluzioni nel settore automobilistico. Le applicazioni includono: CC-CC, controllo di motori, settore automobilistico ed eMobility.

Modalità potenziata

Classificazione Avalanche

Perdite di potenza a bassa conduzione e commutazione

Placcatura senza piombo; conformità Rohs

Contenitori standard

Serie a canale P OptiMOS™: gamma di temperatura da -55 °C a +175 °C

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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