MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 3.4 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-220, Superficie IPP120P04P4L03AKSA2
- Codice RS:
- 229-1847
- Codice costruttore:
- IPP120P04P4L03AKSA2
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 229-1847
- Codice costruttore:
- IPP120P04P4L03AKSA2
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 120A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | IPP | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.4mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 180nC | |
| Tensione diretta Vf | -1.3V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 5 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 136W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 15.65mm | |
| Altezza | 2.54mm | |
| Larghezza | 15.95 mm | |
| Standard automobilistico | AEC | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 120A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie IPP | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.4mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 180nC | ||
Tensione diretta Vf -1.3V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 5 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 136W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 15.65mm | ||
Altezza 2.54mm | ||
Larghezza 15.95 mm | ||
Standard automobilistico AEC | ||
MOSFET IPP della serie Infineon, 120A di corrente continua massima di drain, 40V di tensione massima di source drain - IPP120P04P4L03AKSA2
Questo MOSFET al silicio è progettato per garantire prestazioni elevate in varie applicazioni. Il componente è dotato di un contenitore TO-220 che ne migliora la capacità di dissipazione termica. Con una corrente di drain continua massima di 120A e una tensione drain-source di 40V, offre un'eccellente flessibilità operativa in ambienti difficili. Il MOSFET funziona in modo efficiente in un'ampia gamma di temperature, rendendolo adatto alle applicazioni automobilistiche e industriali.
Caratteristiche e vantaggi
• La modalità di potenziamento del canale P garantisce prestazioni di commutazione efficienti
• Qualificato AEC, soddisfa i rigorosi standard automobilistici
• La temperatura operativa massima di +175°C consente di soddisfare le esigenze più complesse
• La classificazione MSL1 supporta i processi di rifusione ad alta temperatura
Applicazioni
• Utilizzato nei sistemi di controllo automobilistici per una gestione efficiente dell'energia
• Efficace per l'azionamento di motori elettrici nella robotica
• Incorporati nei circuiti di alimentazione dei macchinari industriali
• Adatto per l'elettronica di consumo dove le dimensioni compatte sono essenziali
Qual è il significato della corrente di drenaggio massima continua?
Il valore nominale della corrente di drenaggio continua massima indica la quantità massima di corrente che il dispositivo è in grado di gestire in condizioni operative normali, il che è essenziale per garantire l'affidabilità nelle applicazioni che richiedono un'elevata capacità di corrente.
In che modo la bassa Rds(on) contribuisce all'efficienza energetica?
Una bassa Rds(on) riduce le perdite di potenza durante il funzionamento, consentendo ai dispositivi di funzionare in modo più freddo e migliorando l'efficienza energetica complessiva del sistema, il che è particolarmente vantaggioso nei progetti alimentati a batteria.
Quali caratteristiche di sicurezza offre questo componente per gli ambienti difficili?
Questo dispositivo è testato al 100% contro le valanghe, il che garantisce che possa resistere a condizioni transitorie senza guasti, il che è fondamentale per proteggere i circuiti in ambienti imprevedibili come le applicazioni automobilistiche e industriali.
Quali sono le caratteristiche di prestazione da considerare quando si integra questo componente nei sistemi esistenti?
Le caratteristiche chiave, come la tensione di soglia del gate, la tensione massima gate-source e la resistenza termica, devono essere valutate per garantire la compatibilità con i progetti di circuiti esistenti e ottimizzare le prestazioni.
In che modo l'intervallo di temperatura operativa ne migliora l'utilizzabilità in diverse applicazioni?
Con un intervallo di temperatura operativa compreso tra -55°C e +175°C, questo MOSFET è sufficientemente versatile per essere utilizzato in un ampio spettro di applicazioni, dagli ambienti freddi estremi alle impostazioni operative ad alta temperatura.
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