MOSFET Infineon, canale Tipo P -40 V, 3.50 mΩ Miglioramento, -120 A, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 258-3797
- Codice costruttore:
- IPB120P04P404ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*
948,00 €
(IVA esclusa)
1157,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 2000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,948 € | 948,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-3797
- Codice costruttore:
- IPB120P04P404ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -120A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -40V | |
| Serie | iPB | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.50mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | +175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id -120A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -40V | ||
Serie iPB | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.50mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento +175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon serie iPB, tensione massima drain‐source 40 V, corrente di drenaggio continua massima 120 A - IPB120P04P404ATMA2
Questo MOSFET a canale P è un transistor di potenza a montaggio superficiale progettato per la commutazione ad alta corrente in sistemi elettronici impegnativi. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è adatto per applicazioni che richiedono basse perdite di conduzione e una gestione termica compatta. Il dispositivo è conforme alle restrizioni ambientali del settore e soddisfa gli standard di qualità automobilistici, il che lo rende adatto per l'elettronica dei veicoli robusti e i moduli di regolazione della potenza.
Caratteristiche e vantaggi:
• La bassa resistenza all'accensione riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento ad alta corrente
• L'elevata corrente di drenaggio continua supporta la commutazione per carichi pesanti
• L'ampia capacità di temperatura preserva il funzionamento in ambienti estremi
• La bassa tensione diretta riduce al minimo la caduta di tensione nei percorsi di alimentazione
• Il pacchetto a montaggio superficiale favorisce layout di circuiti stampati compatti ed efficienti dal punto di vista termico
• L'elevata corrente di drenaggio continua supporta la commutazione per carichi pesanti
• L'ampia capacità di temperatura preserva il funzionamento in ambienti estremi
• La bassa tensione diretta riduce al minimo la caduta di tensione nei percorsi di alimentazione
• Il pacchetto a montaggio superficiale favorisce layout di circuiti stampati compatti ed efficienti dal punto di vista termico
Applicazioni
• Adatto per gli stadi di potenza dei convertitori CC-CC per uso automobilistico
• Ideale per la gestione dell'alimentazione ad alta corrente nei sistemi dei veicoli
• Utilizzato con moduli di protezione e distribuzione della batteria
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico in gruppi ad alta corrente
• Ideale per la gestione dell'alimentazione ad alta corrente nei sistemi dei veicoli
• Utilizzato con moduli di protezione e distribuzione della batteria
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico in gruppi ad alta corrente
Quale tipo di contenitore utilizza il dispositivo?
È fornito in un contenitore TO‐263 per il montaggio superficiale.
Quali approvazioni ambientali si applicano a questo componente?
Il componente è conforme alla direttiva RoHS ed è conforme alle norme automobilistiche AEC-Q101.
Qual è la configurazione del canale e la modalità del dispositivo?
Si tratta di un dispositivo in modalità di potenziamento a canale P.
Quali sono i limiti elettrici che i progettisti devono rispettare per garantire un funzionamento sicuro?
La tensione massima di drenaggio è di 40 V e la corrente di drenaggio continua massima è di 120 A.
Quale intervallo termico si può prevedere durante il funzionamento?
La temperatura d'esercizio ammissibile varia da -55 °C a +175 °C.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 125 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie IPB120P04P404ATMA2
- MOSFET Infineon 3.1 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 3.1 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPB120P04P4L03ATMA2
- MOSFET Infineon 4.8 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie
- MOSFET Infineon 120 A Superficie
- MOSFET Infineon 4.8 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie IPB100N12S305ATMA1
- MOSFET Infineon 120 A Superficie IPB120N06S403ATMA2
- MOSFET Infineon 40.7 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie