MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 3.1 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 229-1818
- Codice costruttore:
- IPB120P04P4L03ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,285 € | 1.285,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 229-1818
- Codice costruttore:
- IPB120P04P4L03ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 120A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | iPB | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.1mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | -1.3V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 136W | |
| Temperatura massima di funzionamento | +175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 120A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie iPB | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.1mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf -1.3V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 136W | ||
Temperatura massima di funzionamento +175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon serie iPB, tensione massima della sorgente di drenaggio di 40 V, corrente di drenaggio continua massima di 120 A - IPB120P04P4L03ATMA2
Questo MOSFET a canale p è un transistor di potenza a montaggio superficiale progettato per la commutazione ad alta corrente e la resistenza termica in ambienti automobilistici e industriali. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per l'uso nei casi in cui è richiesta una robusta tolleranza del gate e una bassa perdita di conduzione.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source di 40 V consente la commutazione a media tensione
• La corrente di drenaggio continua di 120 A supporta la gestione di carichi pesanti
• La bassa Rds(on) di 3.1 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza di 136 W consente una gestione della potenza sostenuta
• La tolleranza Vgs fino a 16 V consente margini di azionamento gate più elevati
• L'intervallo di temperatura da -55 °C a 175 °C mantiene il funzionamento in condizioni estreme
• La corrente di drenaggio continua di 120 A supporta la gestione di carichi pesanti
• La bassa Rds(on) di 3.1 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza di 136 W consente una gestione della potenza sostenuta
• La tolleranza Vgs fino a 16 V consente margini di azionamento gate più elevati
• L'intervallo di temperatura da -55 °C a 175 °C mantiene il funzionamento in condizioni estreme
Applicazioni
• Adatto per circuiti di protezione inversa della batteria ad alta corrente
• Ideale per i moduli di distribuzione dell'alimentazione automobilistica
• Utilizzato con controller motore low-side o high-side
• Può essere utilizzato per la commutazione sincrona del convertitore CC-CC
• Adatto per le funzioni di gestione dell'alimentazione nei veicoli elettrici
• Ideale per i moduli di distribuzione dell'alimentazione automobilistica
• Utilizzato con controller motore low-side o high-side
• Può essere utilizzato per la commutazione sincrona del convertitore CC-CC
• Adatto per le funzioni di gestione dell'alimentazione nei veicoli elettrici
Quale contenitore utilizza per l'assemblaggio del circuito stampato?
Viene fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO-263 progettato per il montaggio su scheda saldata.
Come si comporta termicamente con carichi elevati?
Il dispositivo può dissipare fino a 136 W se correttamente raffreddato, consentendo un funzionamento prolungato a potenza elevata con un'adeguata gestione termica.
Quali limiti di gate devono essere rispettati durante la progettazione?
La tensione gate-sorgente non deve superare 16 V per evitare sovratensioni gate.
È adatto ai requisiti di qualificazione automobilistica?
Soddisfa lo standard automobilistico AEC-Q101 per la qualifica dei semiconduttori.
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