MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 3.1 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Codice RS:: 229-1818
Codice costruttore:: IPB120P04P4L03ATMA2
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 3.1 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

1443,00 €

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Codice RS:: 229-1818
Codice costruttore:: IPB120P04P4L03ATMA2
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	120A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Tipo di package	TO-263
	Serie	iPB
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	3.1mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 120A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Tipo di package TO-263
	Serie iPB
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.1mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - IPB120P04P4L03ATMA2

IPB120P04P4L-03, -40 V, canale P, 3,1 mΩ max, MOSFET per uso automobilistico, D2PAK, OptiMOSTM-P2

Il MOSFET di livello logico a canale p Infineon ha la massima capacità di corrente e è testato al 100% a valanga. Ha le minori perdite di potenza di commutazione e di conduzione per la massima efficienza termica.

Riassunto delle caratteristiche

•Canale P - Livello logico - Modalità potenziamento

•AEC qualificato

•MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco

•Temperatura d'esercizio 175 °C

•Contenitore verde (conforme a RoHS)

•100% Avalanche testato

Vantaggi

•Non è richiesta alcuna pompa di carica per l'azionamento a lato alto.

•Circuito di azionamento interfaccia semplice

•RDSon più basso al mondo a 40 V

•Massima capacità di corrente

•Minime perdite di potenza di commutazione e conduzione per la massima efficienza termica

•Contenitori robusti con qualità e affidabilità superiori

•Contenitori standard TO-252, TO-263, TO-220, TO-262

Applicazioni potenziali

•MOSFET ad alto fianco per ponti a motore (mezzi ponti, ponti ad H, motori a 3 fasi)

•La configurazione a ponte può essere realizzata con un canale P da 40 V come dispositivo lato alto senza necessità di pompa di carica