MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 80 V, 3.1 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB031N08N5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7378
Codice costruttore:
IPB031N08N5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza industriale IPB031N08N5 Infineon OptiMOS 5 80V offre una riduzione RDS(ON) del 43% rispetto alle generazioni precedenti ed è ideale per le alte frequenze di commutazione. I dispositivi di questa famiglia sono progettati appositamente per la rettifica sincrona in alimentatori per server e telecomunicazioni. Inoltre, possono essere utilizzati anche in altre applicazioni industriali come pannelli solari, unità a bassa tensione e adattatori.

Ottimizzato per la rettifica sincrona

Ideale per una frequenza di commutazione elevata

Riduzione della capacità di uscita fino al 44%

Riduzione R DS(on) fino al 44%

Massima efficienza del sistema

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Sono richiesti meno collegamenti in parallelo

Densità di potenza aumentata

Bassa sovratensione

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