MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 2.5 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB120N08S403ATMA1

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Codice RS:
214-4366
Codice costruttore:
IPB120N08S403ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TO-263

Serie

OptiMOS -T2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

128nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.5mm

Lunghezza

10.02mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Questo MOSFET Infineon OptiMOS T2 è testato al 100% con effetto valanga ed è conforme alla direttiva RoHS.

È certificato AEC Q101

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