MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 2.5 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB120N08S403ATMA1

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

10,23 €

(IVA esclusa)

12,48 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 220 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
5 +2,046 €10,23 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4366
Codice costruttore:
IPB120N08S403ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

OptiMOS -T2

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

128nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.5mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.02mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Questo MOSFET Infineon OptiMOS T2 è testato al 100% con effetto valanga ed è conforme alla direttiva RoHS.

È certificato AEC Q101

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.