MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 2.5 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB120N08S403ATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

31,38 €

(IVA esclusa)

38,285 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 220 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 56,276 €31,38 €
10 - 205,65 €28,25 €
25 - 455,272 €26,36 €
50 - 1204,896 €24,48 €
125 +4,582 €22,91 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4366
Codice costruttore:
IPB120N08S403ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TO-263

Serie

OptiMOS -T2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

128nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.5mm

Larghezza

9.27 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.02mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Questo MOSFET Infineon OptiMOS T2 è testato al 100% con effetto valanga ed è conforme alla direttiva RoHS.

È certificato AEC Q101

Link consigliati