Transistor MOSFET + diodo Infineon, canale N, 0,0031 O, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Il MOSFET di potenza industriale IPB031N08N5 Infineon OptiMOS 5 80V offre una riduzione RDS(ON) del 43% rispetto alle generazioni precedenti ed è ideale per le alte frequenze di commutazione. I dispositivi di questa famiglia sono progettati appositamente per la rettifica sincrona in alimentatori per server e telecomunicazioni. Inoltre, possono essere utilizzati anche in altre applicazioni industriali come pannelli solari, unità a bassa tensione e adattatori.

Ottimizzato per la rettifica sincrona
Ideale per una frequenza di commutazione elevata
Riduzione della capacità di uscita fino al 44%
Riduzione R DS(on) fino al 44%
Massima efficienza del sistema
Perdite di conduzione e commutazione ridotte
Sono richiesti meno collegamenti in parallelo
Densità di potenza aumentata
Bassa sovratensione