MOSFET Infineon, canale Tipo P 800 V, 40.7 mΩ Miglioramento, 17 A, TO-263, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

2136,00 €

(IVA esclusa)

2606,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 24 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1000 +2,136 €2.136,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
258-3824
Codice costruttore:
IPB80R290C3AATMA2
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

17A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-263

Serie

iPB

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

La tecnologia Infineon CoolMOS C3A è stata progettata per soddisfare le crescenti esigenze di tensioni di sistema più elevate nell'area dei veicoli elettrici, come PHEV e BEV.

Qualità e affidabilità migliori della categoria

Maggiore tensione di rottura

Elevata capacità di corrente di picco

Link consigliati