MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 40.7 mΩ Miglioramento, 80 A, TO-263, Superficie IPB80P04P405ATMA2
- Codice RS:
- 258-3813
- Codice costruttore:
- IPB80P04P405ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 258-3813
- Codice costruttore:
- IPB80P04P405ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 80A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | iPB | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 40.7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 80A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie iPB | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 40.7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il transistor di potenza Infineon OptiMOS-P2 è una modalità di potenziamento del livello normale a canale P. Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.
Certificazione AEC
MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco
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