MOSFET Infineon, canale Tipo N 300 V, 40.7 mΩ P, 44 A, TO-263, Superficie

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Codice RS:
258-3806
Codice costruttore:
IPB407N30NATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

44A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

300V

Tipo di package

TO-263

Serie

iPB

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40.7mΩ

Modalità canale

P

Tensione diretta Vf

1.2V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

I MOSFET Infineon OptiMOS da 300 V, che incorporano la tecnologia a diodo rapido, sono particolarmente ottimizzati per la commutazione rigida del diodo del corpo. I dispositivi non solo dimostrano un'impressionante resistenza allo stato attivo e una cifra di merito, ma offrono anche un'elevata affidabilità del sistema grazie alla carica di recupero inverso più bassa disponibile sul mercato. Con la serie OptiMOS da 300 V, Infineon porta un nuovo livello di prestazioni nelle applicazioni di commutazione rigida come le telecomunicazioni, gli alimentatori ininterrotti, gli alimentatori industriali, gli inverter c.c.-c.a. e il controllo dei motori.

Robustezza di commutazione

Comportamento di commutazione rigida ottimizzato

Riduzione dello spazio su scheda e dei costi di sistema

Elevata affidabilità del sistema

Migliori prestazioni di commutazione

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