MOSFET Infineon, canale Tipo N 300 V, 40.7 mΩ P, 44 A, TO-263, Superficie IPB407N30NATMA1
- Codice RS:
- 258-3807
- Codice costruttore:
- IPB407N30NATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-3807
- Codice costruttore:
- IPB407N30NATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 44A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 300V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 40.7mΩ | |
| Modalità canale | P | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 44A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 300V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 40.7mΩ | ||
Modalità canale P | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
I MOSFET Infineon OptiMOS da 300 V, che incorporano la tecnologia a diodo rapido, sono particolarmente ottimizzati per la commutazione rigida del diodo del corpo. I dispositivi non solo dimostrano un'impressionante resistenza allo stato attivo e una cifra di merito, ma offrono anche un'elevata affidabilità del sistema grazie alla carica di recupero inverso più bassa disponibile sul mercato. Con la serie OptiMOS da 300 V, Infineon porta un nuovo livello di prestazioni nelle applicazioni di commutazione rigida come le telecomunicazioni, gli alimentatori ininterrotti, gli alimentatori industriali, gli inverter c.c.-c.a. e il controllo dei motori.
Robustezza di commutazione
Comportamento di commutazione rigida ottimizzato
Riduzione dello spazio su scheda e dei costi di sistema
Elevata affidabilità del sistema
Migliori prestazioni di commutazione
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