MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 40.7 mΩ Miglioramento, 80 A, TO-263, Superficie IPB80P04P4L04ATMA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3818
Codice costruttore:
IPB80P04P4L04ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-263

Serie

iPB

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza OptiMOS-P2 Infineon offre le perdite di potenza di commutazione e di conduzione più basse per la massima efficienza termica. Contenitori robusti con qualità e affidabilità superiori.

Nessuna pompa di ricarica necessaria per l'azionamento a lato alto

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