MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 40.7 mΩ Miglioramento, 80 A, TO-263, Superficie IPB80P04P4L04ATMA2
- Codice RS:
- 258-3818
- Codice costruttore:
- IPB80P04P4L04ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 2 unità*
7,78 €
(IVA esclusa)
9,50 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 998 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,89 € | 7,78 € |
| 20 - 48 | 3,27 € | 6,54 € |
| 50 - 98 | 3,07 € | 6,14 € |
| 100 - 198 | 2,84 € | 5,68 € |
| 200 + | 2,64 € | 5,28 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-3818
- Codice costruttore:
- IPB80P04P4L04ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 80A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 40.7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 80A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 40.7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il transistor di potenza OptiMOS-P2 Infineon offre le perdite di potenza di commutazione e di conduzione più basse per la massima efficienza termica. Contenitori robusti con qualità e affidabilità superiori.
Nessuna pompa di ricarica necessaria per l'azionamento a lato alto
Circuito di azionamento con interfaccia semplice
Capacità di corrente più elevata
Link consigliati
- MOSFET Infineon 40.7 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie
- MOSFET Infineon 40.7 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie IPB80P04P405ATMA2
- MOSFET Infineon 40.7 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie IPB80P04P407ATMA2
- MOSFET Infineon 40.7 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie IPB80P04P4L08ATMA2
- MOSFET Infineon 40.7 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie IPB80P04P4L06ATMA2
- MOSFET Infineon 40.7 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie
- MOSFET Infineon 40.7 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie IPB80R290C3AATMA2
- MOSFET Infineon 40.7 mΩ P TO-263, Superficie