2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo P, 170 mΩ, 3.4 A 55 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin IRF7342TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
826-8901
Codice costruttore:
IRF7342TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

3.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

170mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

26nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 3,4A, dissipazione di potenza massima di 2W - IRF7342TRPBF


Questo MOSFET di potenza è destinato alla gestione efficiente dell'alimentazione in vari dispositivi elettronici. Caratterizzato da una configurazione a canale P, è adatto per operazioni di commutazione e amplificazione ad alte prestazioni. Le sue robuste specifiche soddisfano i requisiti essenziali di ingegneri e progettisti nei settori dell'automazione e dell'elettricità.

Caratteristiche e vantaggi


• Corrente di drenaggio continua massima di 3,4A

• Tolleranza della tensione di drain-source fino a 55 V

• Il design a montaggio superficiale consente un'installazione semplice

• La bassa resistenza di drain-source massima migliora l'efficienza energetica

• La tensione di soglia del gate di 1 V favorisce una commutazione affidabile

Applicazioni


• Circuiti di gestione della potenza per un migliore utilizzo dell'energia

• Apparecchiature di automazione che richiedono robuste capacità di commutazione

• Adatto ai sistemi di controllo del motore

• Utilizzato nei convertitori di potenza per l'elettronica

• Comune nei sistemi di gestione delle batterie

Quali sono i limiti termici di funzionamento?


Funziona efficacemente in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +150°C, garantendo l'affidabilità in vari ambienti.

In che modo questo componente migliora l'efficienza del circuito?


Il basso valore di Rds(on) riduce la perdita di potenza durante il funzionamento, migliorando così l'efficienza complessiva del circuito.

Questo MOSFET può gestire correnti pulsate?


Sì, può ospitare correnti di drenaggio pulsate fino a 27A, adatte a condizioni transitorie.

In che tipo di confezione è disponibile?


È disponibile in un pacchetto a montaggio superficiale SO-8, che ottimizza la flessibilità del layout e i processi di produzione.

Esiste una tensione di gate specifica per ottenere prestazioni ottimali?


La tensione gate-to-source dovrebbe essere mantenuta a ±20V per ottenere prestazioni ottimali e una lunga durata del dispositivo.

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