MOSFET Infineon, canale P, 170 mΩ, 3,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 826-8901
Codice costruttore:: IRF7342TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 170 mΩ, 3,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 826-8901
Codice costruttore:: IRF7342TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRF7342TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	3,4 A
Tensione massima drain source	55 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	170 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	2
Carica gate tipica @ Vgs	26 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm

MOSFET Infineon, canale P, 170 mΩ, 3,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale P da 40V a 55V, Infineon

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