2 MOSFET di potenza STMicroelectronics Tipo isolato, canale N, 55 mΩ, 4 A 60 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
920-6557
Codice costruttore:
STS4DNF60L
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

STripFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

55mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-15V, +15V

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Larghezza

4mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.25mm

Lunghezza

5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N STripFET™, STMicroelectronics


I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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