2 MOSFET di potenza STMicroelectronics Tipo isolato, canale Tipo N, 55 mΩ, 4 A 60 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8

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Codice RS:
920-6557
Codice costruttore:
STS4DNF60L
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

STripFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

55mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Minima temperatura operativa

150°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

15 V

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Larghezza

4 mm

Altezza

1.25mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N STripFET™, STMicroelectronics


I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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