2 MOSFET di potenza STMicroelectronics Tipo isolato, canale Tipo N, 55 mΩ, 4 A 60 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
485-8358
Codice costruttore:
STS4DNF60L
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOIC

Serie

STripFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

55mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

15 V

Minima temperatura operativa

150°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.25mm

Larghezza

4 mm

Numero elementi per chip

2

Distrelec Product Id

304-42-969

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N STripFET™, STMicroelectronics


I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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