2 MOSFET di potenza STMicroelectronics Tipo isolato, canale Tipo N, 55 mΩ, 4 A 60 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
485-8358
Codice Distrelec:
304-42-969
Codice costruttore:
STS4DNF60L
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOIC

Serie

STripFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

55mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Minima temperatura operativa

150°C

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.25mm

Lunghezza

5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N STripFET™, STMicroelectronics


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Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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