MOSFET DiodesZetex, canale N, 55 mΩ, 6,6 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 121-9628
Codice costruttore:: DMN6040SSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 55 mΩ, 6,6 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

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Unità	Per unità	Per bobina**
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Codice RS:: 121-9628
Codice costruttore:: DMN6040SSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	6,6 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	55 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Dissipazione di potenza massima	1,7 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	22,4 nC a 10 V
Lunghezza	4.95mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	3.95mm
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 55 mΩ, 6,6 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.

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