2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 53 mΩ, 8.5 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento,

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:
122-0202
Codice costruttore:
DMC3021LSD-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

8.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

53mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione diretta Vf

0.7V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.8nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Altezza

1.5mm

Lunghezza

4.95mm

Larghezza

3.95 mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N/P, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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