MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 32 mΩ, 53 mΩ, 7 A, 8,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 122-0202
Codice costruttore:: DMC3021LSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 32 mΩ, 53 mΩ, 7 A, 8,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

0,158 €

(IVA esclusa)

0,193 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,158 €	395,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 122-0202
Codice costruttore:: DMC3021LSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	7 A, 8,5 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	32 mΩ, 53 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.2V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	4.95mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	3.95mm
Carica gate tipica @ Vgs	16,1 nC a 10 V, 21,1 nC a 4,5 V
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 32 mΩ, 53 mΩ, 7 A, 8,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale N/P, Diodes Inc.

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