2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo P, 80 mΩ, 4.8 A 60 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
708-2554
Codice costruttore:
ZXMP6A18DN8TA
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

4.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

80mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

44nC

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione diretta Vf

-0.85V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.1W

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Standard/Approvazioni

RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020

Larghezza

4 mm

Altezza

1.5mm

Lunghezza

5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET doppio a canale P, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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