MOSFET DiodesZetex, canale P, 80 mΩ, 4,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 708-2554
Codice costruttore:: ZXMP6A18DN8TA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale P, 80 mΩ, 4,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

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5 - 20	1,006 €	5,03 €
25 - 120	0,80 €	4,00 €
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250 +	0,612 €	3,06 €

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Codice RS:: 708-2554
Codice costruttore:: ZXMP6A18DN8TA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET P-ch Dual 4.8A 60V SOIC8
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	4,8 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	80 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2.1 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	2
Carica gate tipica @ Vgs	44 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4mm
Lunghezza	5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm

MOSFET DiodesZetex, canale P, 80 mΩ, 4,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale P, Diodes Inc.

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