Codice costruttore

2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo P, 95 mΩ, 3.1 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Codice RS:: 122-3314
Codice costruttore:: DMP3085LSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo P, 95 mΩ, 3.1 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Sconto per quantità disponibile

Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

227,50 €

(IVA esclusa)

277,50 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

Spedizione a partire dal 26 febbraio 2027

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
2500 - 5000	0,091 €	227,50 €
7500 +	0,089 €	222,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 122-3314
Codice costruttore:: DMP3085LSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	DiodesZetex
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	3.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	SOIC
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	95mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	5.2nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.7W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	-0.7V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Temperatura massima di funzionamento	+150°C
	Configurazione transistor	Tipo isolato
	Altezza	1.5mm
	Lunghezza	4.95mm
	Standard/Approvazioni	MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020
	Larghezza	3.95mm
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio DiodesZetex
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 3.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package SOIC
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 95mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 5.2nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.7W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf -0.7V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Temperatura massima di funzionamento +150°C
	Configurazione transistor Tipo isolato
	Altezza 1.5mm
	Lunghezza 4.95mm
	Standard/Approvazioni MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020
	Larghezza 3.95mm
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET doppio a canale P, Diodes Inc.

Transistor MOSFET, Diodes Inc.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.