MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 50 mΩ, 5,4 A, 6,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 122-1450
Codice costruttore:: ZXMC3A16DN8TA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 50 mΩ, 5,4 A, 6,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 500)**

0,70 €

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0,85 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
500 +	0,70 €	350,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 122-1450
Codice costruttore:: ZXMC3A16DN8TA
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	5,4 A, 6,4 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	50 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2,1 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	4mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	17,5 nC a 10 V
Lunghezza	5mm
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 50 mΩ, 5,4 A, 6,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale N/P, Diodes Inc.

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