2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 50 mΩ, 6.4 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento,

Prezzo per 1 bobina da 500 unità*

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Codice RS:
122-1450
Codice costruttore:
ZXMC3A16DN8TA
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

50mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17.5nC

Minima temperatura operativa

150°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2.1W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.85V

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Standard/Approvazioni

RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Larghezza

4 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N/P, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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