2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 53 mΩ, 8.5 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento,
- Codice RS:
- 751-4067
- Codice costruttore:
- DMC3021LSD-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 confezione da 25 unità*
11,25 €
(IVA esclusa)
13,75 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,45 € | 11,25 € |
| 125 - 600 | 0,35 € | 8,75 € |
| 625 - 1225 | 0,291 € | 7,28 € |
| 1250 + | 0,234 € | 5,85 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 751-4067
- Codice costruttore:
- DMC3021LSD-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 8.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 53mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 7.8nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.7V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Lunghezza | 4.95mm | |
| Larghezza | 3.95mm | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo P, Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 8.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 53mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 7.8nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 0.7V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Altezza 1.5mm | ||
Lunghezza 4.95mm | ||
Larghezza 3.95mm | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET doppio a canale N/P, Diodes Inc.
Transistor MOSFET, Diodes Inc.
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