2 MOSFET DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo P, 20 mΩ, 10.5 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 170-9038
- Codice costruttore:
- DMC3016LSD-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
430,00 €
(IVA esclusa)
525,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- 2500 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,172 € | 430,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 170-9038
- Codice costruttore:
- DMC3016LSD-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N, Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 10.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 20mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.6W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 11.3nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 0.7V | |
| Minima temperatura operativa | 150°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | -55°C | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Larghezza | 3.95 mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Lunghezza | 4.95mm | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N, Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 10.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 20mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.6W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 11.3nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 0.7V | ||
Minima temperatura operativa 150°C | ||
Temperatura massima di funzionamento -55°C | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Larghezza 3.95 mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Lunghezza 4.95mm | ||
Altezza 1.5mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET doppio a canale N/P, Diodes Inc.
Transistor MOSFET, Diodes Inc.
Link consigliati
- MOSFET DiodesZetex P 10 SOIC, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 85 mΩ5 A Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex P 8 SOIC, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex P 80 mΩ5 A8 A Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex P 53 mΩ 8 SOIC, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex P 41 mΩ2 A6 A Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex P 45 mΩ7 A5 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 25 mΩ5 A Montaggio superficiale
