MOSFET Vishay, canale P, 150 mΩ, 3,1 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 919-4198
Codice costruttore:: SI4948BEY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 150 mΩ, 3,1 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 919-4198
Codice costruttore:: SI4948BEY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	3,1 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	150 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2,4 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	5mm
Carica gate tipica @ Vgs	14,5 nC a 10 V
Larghezza	4mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	2
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale P, 150 mΩ, 3,1 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor

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