2 MOSFET Vishay Tipo isolato, canale Tipo N, 52 mΩ, 6.5 A 60 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
919-4195
Codice costruttore:
SI4946BEY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

52mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17nC

Dissipazione di potenza massima Pd

3.7W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Larghezza

4 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.55mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW

MOSFET doppio a canale N, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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