2 MOSFET Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 34 mΩ, 8 A 40 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 787-9238
- Codice costruttore:
- SI4554DY-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
5,46 €
(IVA esclusa)
6,66 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 15.300 unità in spedizione dal 01 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 + | 0,546 € | 5,46 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 787-9238
- Codice costruttore:
- SI4554DY-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P, Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 34mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | 150°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13.3nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 3.2W | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Temperatura massima di funzionamento | -55°C | |
| Larghezza | 4 mm | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P, Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 34mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa 150°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13.3nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 3.2W | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Temperatura massima di funzionamento -55°C | ||
Larghezza 4 mm | ||
Altezza 1.5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 5mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET doppio a canale N/P, Vishay Semiconductor
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Link consigliati
- MOSFET Vishay P 34 mΩ SOIC, Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 34 mΩ5 A Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay P 150 mΩ9 A3 A Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay P5 mΩ 4 6 SOIC, Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay P 28 mΩ2 A SOIC, Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay P 140 mΩ3 A SOIC, Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 11 27 A Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 150 mΩ1 A Montaggio superficiale
